净化多晶硅的方法技术资料下载

技术编号:3469644

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本发明涉及一种在工艺中用改进的净化溶液流。 在太阳能电池或电子元件如存储元件或微处理器的生产中需要高纯度半导体材料。在大多数有利的情况下,有目的地引入的掺杂剂应当是该类型的材料仅有的杂质。因此,人们努力使有害杂质的浓度尽可能得低。人们经常观察到已经生产出的高纯度半导体材料在进一步处理成目标产品的过程中被再次污染。因此必需反复进行复杂的净化步骤以恢复原有的纯度。 特别是,被金属原子污染应当视为严重的,因为金属原子能以有害的方式改变半 导体材料的电学性能。如...
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