技术编号：34696626
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及功率半导体驱动技术领域，尤其涉及一种基于功率半导体温度特性的动态驱动电路。背景技术.传统功率半导体，下面以igbt(insulatedgatebipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)芯片为例，驱动方案中采用固定驱动电阻，并未考虑igbt的电气特性与温度有较强的耦合关系(igbt芯片的关断速度呈负温度特性)，随着温度升高，igbt整个关断过程减缓，igbt的di/dt变小，igbt拖尾电流时间被延长，导致其关断损耗增加，常常受限于损耗和温度导致未能充分发挥器件...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。