技术编号：3469711
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米二氧化锡制备，具体是一种用。现有技术SnO2是目前最常见的气敏半导体材料，它对许多可燃气体，如氢、一氧化碳、甲烷、乙醇或芳香烃都有相当高的灵敏度，这与其利用半导体表面吸附来控制电导率的气敏机理有关。掺杂的SnO2超细粉体具有较大的比表面积，由这种粉体制成的气敏元件，灵敏度和选择性可大大提高。目前制备SnO2的方法有沉淀法和溶胶凝胶法等，沉淀法制备超细粉体时有工艺简单，成本低等特点，但在使用沉淀法制备纳米粉体过程中存在着沉淀难以洗涤和分离的弊端...
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