技术编号：3469744
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术通常层数少的碳纳米管具有高石墨化结构。因此，人们知道单层碳纳米管的导电 性、导热性等特性高。另一方面，由于多层碳纳米管石墨化度低，所以人们知道多层碳纳米 管的电导电性、导热性一般比单层碳纳米管低。由于双层碳纳米管具有单层碳纳米管的特 性和多层碳纳米管两者的特性，所以作为在各种用途中有希望的材料受到人们关注。近年来，人们已经知道使用化学气相沉积法(专利文献1)、等离子体法(非专利文 献1)、脉冲电弧法(专利文献2)等来合成双层碳纳米管比...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。