技术编号：3469750
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及通过由氧化硅胶选择性地浓缩臭氧化氧气体(臭氧吸附)使浓缩的臭氧气体化，生成高浓度 的臭氧的。背景技术近年来，臭氧利用在用于半导体装置的用于氧化膜形成的臭氧氧化、硅片的臭氧 洗净、上下水处理等多方面的目的。硅片的臭氧氧化，因为要求高品质的氧化膜，所以要求 高纯度且高浓度的臭氧化气体。另外，臭氧洗净是将在纯水中溶解了臭氧化气体的臭氧水作为洗净液使用的，通 过与稀氟酸水溶液等并用，去掉硅片上的有机物、重金属。在半导体制造领域中，为了实现更高...
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