技术编号:3469986
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CdSe/CdS、CdSe/ZnS等核/壳型量子点的制备方法。实际应用中需要纯净、稳定、单分散的高质量纳米晶体,而这是普通的沉降法所得不到的,所以有关量子点的制备成为近年来的研究热点。Peng等用CdO,Cd(Ac)2、CdCO3等镉的弱酸盐和硒粉作原料,用TOPO,HDA,硬脂酸等作溶剂合成了性能优良的II-VI型量子点。虽然用这种方法可以成功地合成CdSe等II-VI型量子点,但是由于通常制备的量子点容易氧化、不稳定,且表面有大量缺陷,严...
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