技术编号:3470817
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料领域,尤其涉及一种一维氧化锡量子线的溶剂热制 备方法。 背景技术氧化锡作为一种性能优良的n型宽禁带(3.6eV)半导体,它具有高透光性, 低电阻率,高气敏活性等优良性能,是理想的太阳能电池,透明电极,薄膜电 阻和气敏器件材料。在一维氧化锡纳米材料方面,目前人们对氧化锡纳米线和纳米棒的研究比 较多。YuliangWang (J. AM. CHEM. SOC. 2003, 125,16176-16177)等通过有机 溶剂水解法制备了直径约5...
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