技术编号:3471257
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种三氯氢硅的等离子体制备装置。包括水冷内电极,介质阻挡结构,及风冷外电极结构。等离子体放电结构包括内电极的水冷结构以及外电极的风冷结构,外电极采用网状电极,提高放电稳定性及均匀性,放电电源采用高压电源。本发明所述方法及其装置完成对四氯化硅的氢化,生成三氯氢硅,具有处理成本低、工作效率高、无环境污染等特点。专利说明一种三氯氢硅的等离子体制备装置[0001]本发明涉及一种三氯氢硅的等离子体制备装置。技术背景[0002]多晶硅是电子工业和光伏产业所需的主要原料...
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