技术编号:3471320
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,该方法包括以下步骤(1)基底的处理;(2)氧化物载体的制备;(3)催化剂(前驱体)的负载;(4)由氧化物载体负载的催化剂溶液的制备;(5)半导体选择性单壁碳纳米管的化学气相沉积生长。根据本发明的方法,能够选择性生长半导体性单壁碳纳米管,拉曼光谱的检测结果显示半导体性单壁碳纳米管的选择性非常好。而且,所得碳纳米管具有良好的取向选择性,并具有良好的直径选择性,直径主要分布于1.1-2.5纳米之间。专利说明[0001]本发明涉及单壁碳纳米管,具...
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