技术编号:3472038
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种通过熔融硅的单向凝固制造高纯硅的方法,所述方法能够廉价地并且工业上容易地制造高纯硅,所述高纯硅具有低氧浓度和低碳浓度并且适用于如制造太阳能电池的用途;通过这种方法得到的高纯硅;以及用于制造高纯硅的硅原料。一种当通过使熔融硅原料在铸造容器中单向凝固来制造高纯硅时使用含有100至1000ppmw的碳和0.5至2000ppmw的锗作为原料制造高纯硅的方法,通过这种方法得到的高纯硅,以及用于制造高纯硅的硅原料。专利说明用于制造高纯硅的方法、通过该方法...
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