技术编号:34725200
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置及其制造方法.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日提交的韩国申请第--号的优先权,其整体通过引用并入本文。技术领域.本发明的各个实施例涉及一种半导体装置及其制造方法,并且更具体地,涉及一种具有三维结构的半导体装置及其制造方法。背景技术.存储单元的尺寸不断减小以增加存储器件的净裸片。随着存储单元的尺寸小型化,需要减小寄生电容cb并增加电容。然而,由于存储单元的结构限制,难以增加净裸片。.最近,提出了包括以三维布置的存储单元的三维半导体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。