技术编号:3473123
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,它包括以下步骤1)将基片亲水化处理;2)将亲水处理后的基片浸泡在新配置的硅烷偶联剂溶液中,浸泡时间为1-2小时;3)取出经硅烷偶联剂溶液浸泡的基片,清洗,得到改性基片;4)氧化还原法制备单层石墨烯溶液;5)在室温下,将步骤3)得到的改性基片浸入步骤4)的石墨烯溶液中,浸泡时间为5-20分钟,然后取出基片,将基片真空干燥即得到单层石墨烯薄膜。本发明一步法制备石墨烯薄膜,过程简便,周期短,原料廉价,低成本,在低温下即可合成。本发明的石墨烯薄膜具有较...
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