技术编号：3475777
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于沉积那些在半导体器件中用作介电材料的氧化铝膜的前体化合物、制备该化合物的方法以及利用该化合物在硅基质上蒸汽沉积金属膜的方法。更具体地说，本发明涉及在基质如硅基质上形成的粘附层或防扩散层上形成氧化铝膜的化合物、制备该化合物的方法以及蒸汽沉积金属氧化物膜的方法。由于半导体器件大规模集成化和微型化的发展趋势，由存取元件如DRAM(“动态随机存取存储器”)占据的领域正在迅速萎缩。因而，在DRAM电容器领域，在小面积内确保充足的电容量是重要的。电容量随...
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