技术编号:34850130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种沟槽栅超结器件,以及具有该沟槽栅超结器件的电子装置。背景技术.相关技术中,对于超结器件的制备,一些方案采用深槽刻蚀加外延填充的方式,但是,该方式在外延填充过程中容易产生空洞,不利于电荷平衡,导致器件导通电阻和开关损耗较高,有待进一步改善。实用新型内容.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种沟槽栅超结器件,该器件可以降低导通电阻,减小开关损耗。.本实用新型第二方面实施例提出一种电子装置。.为...
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