技术编号:3485858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种三进制电存储材料及其制备和应用,其中三进制电存储材料的化学结构通式为其中,x为5~9;y为1~5;数均分子量为11000~13000,分子量分布为1.4~1.6,R为-Br、或-H、或-NO2、或-N(CH2CH3)2。本发明的三进制电存储材料具有超高电信息存储密度的优越性能,大大提高了材料的信息存储能力。同时,基于上述三进制电存储材料能够制得三进制数据存储器件,该制备方法简单,效率高,制备的三进制数据存储器件稳定性高,在单位密度内的数据存...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。