技术编号:34860237
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种纳米氧化物球的制备方法,尤其涉及一种超高比表面积氧化钨纳米球的制备方法。背景技术.氧化钨是一种具有特殊隧道结构、多氧化态、化学稳定性好的新型半导体材料,目前已在光学、催化、能量存储、气体检测等领域得到广泛应用(huang z f,song j,pan l,et al.tungsten oxides for photocatalysis,electrochemistry,and phototherapy[j].advanced materials,,():...
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