技术编号:34874865
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。高集成度增强型gan-hemt技术领域.本实用新型涉及半导体器件,尤其涉及高集成度增强型gan-hemt。背景技术.氮化镓(gan)是一种宽禁带半导体,第三代半导体的典型代表。gan击穿电场是硅的倍,禁带宽度是硅的.倍,氮化镓异质结电子迁移率是硅的.倍,电子饱和漂移速度是硅的.倍。因此氮化镓材料具有耐高温、耐高压、高频的特点。与第一代半导体硅基的器件相比,gan器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性,在功率电子器件领域得到广泛应用。.氮化镓材料的生长分为体晶材料...
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