技术编号：34878368
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。背景技术.半导体结构，例如具有垂直晶体管的动态随机存取存储器(dram)，通常包括衬底、位于衬底上且垂直于衬底表面的有源柱以及与有源柱电连接的位线、字线和电容结构。其中，有源柱通常采用对衬底或者位于衬底上的半导体层执行刻蚀工艺形成。.然而，有源柱通常具有较大的高宽比，增加了刻蚀工艺的难度，且有源柱容易发生倒塌，从而降低半导体结构的性能。发明内容.本公开实施例提供一种半导体结构，包括：.衬底以及在所述衬底上沿第一方向延伸的位...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。