技术编号:34945543
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及硅衬底制绒及异质结太阳能电池制备方法。背景技术.异质结(heterojunction with intrinsic thin layer,简称hjt)太阳能电池目前越来越受到业内关注,异质结电池结构通常是以硅衬底为中心,在硅衬底两侧的掺杂型非晶硅与硅衬底之间沉积一层本征非晶硅薄膜,采取该工艺措施后,改善了pn结的性能,使异质结太阳能电池的转换效率提高。.异质结太阳能电池结构适于薄片化生产,薄片结构对电池光学和电学都有一定的影响,因此,如何以较低成本提...
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