技术编号:34971024
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种多量子阱层及其制备方法、外延片及led芯片技术领域.本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种多量子阱层及其制备方法、外延片及led芯片。背景技术.led芯片是一种能发光的半导体电子元件,具有体积小、亮度高、能耗小等特点,被广泛应用于照明等领域。led芯片由led外延片裂片得到,led外延片包括衬底及在衬底上生长的外延层。.当前阶段,常使用蓝宝石、硅或碳化硅等材料作为衬底。随着不同应用领域的扩展,led芯片的波长集中度以及亮度是一直追求提升的课题。.其中,外延片的多量子阱层,通常包括...
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