技术编号：35097828
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于电光调制技术领域，更具体地，涉及基于行波电极结构的硅基薄膜铌酸锂宽带电光调制器芯片。背景技术.随着光通信传输向超高速、大容量方向的发展，调制技术已经成为光通信技术中的重要一环，电光调制器已经在长距离通信网络、光量子存储、射频光子学以及数据交流中心等领域中得到了广泛的应用，而这些领域也对调制器的消光比、带宽以及损耗等性能提出了更高的要求。.传统的采用内调制的调制器虽然成本较低，但是无法同时满足低损耗、低半波电压、大带宽以及小型化集成化等特点。薄膜铌酸锂材料则是通过在硅衬底上进行离...
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