技术编号:35102166
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。:.本专利涉及半导体掺杂技术领域,具体涉及一种提高六方氮化硼膜的导电率实现高效率掺杂的简单有效方法,即通过在其表面引入掺杂剂并利用表面电荷转移作用,实现在不破坏晶格的条件下对六方氮化硼膜的高效掺杂,提高六方氮化硼器件的电导率。背景技术:.随着科技与经济的不断发展,一些新型产业如智能物联网、智能无人平台、新能源汽车等蓬勃发展,这就对半导体材料提出了更高的要求,传统的第一代和第二代半导体材料已不能满足科技发展的需要,由此,第三代半导体材料应运而生,其中氮化硼(bn)、金刚石、碳化硅(sic)等材...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。