技术编号:3510388
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于光电子中的三烷基镓的制备方法,特别是一种。背景技术 高纯三烷基镓,是先进的金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长化合物半导体的重要支撑材料之一,广泛应用于生长GaAs、GaN、AlGaAs、GaInN等化合物半导体材料,在高亮度发光管、半导体激光器、各种波段探测器、太阳能电池等光电子器件研制和生产方面具有重要的应用价值。高纯三烷基镓的品质纯度是高纯三烷基镓源最为重要的质量指标,高纯三烷基镓的品质纯度的高低直接影响所生长的化合物半导...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。