技术编号:3511708
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对于金属薄膜的CVD/ALD有用的锑及锗复合物、包含这样的复合物的组合物及利用这样的复合物和组合物将金属薄膜沉积于基板上的方法。背景技术锑化物被用于红外检测器、高速数字电路、量子阱结构中,且近来与锗(Ge)及碲 (Te) 一起作为在利用锗-锑-碲(Ge2Sb2Te5)薄膜的相变硫属化物非易失性存储技术中的关键成分。基于Ge-Sb-Te (GST)薄膜的相变随机存取存储(PRAM)设备利用与该薄膜材料的电阻率变化相关联的结晶态至非晶态的可逆转变。基...
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