技术编号:3511797
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及噻吩吡咯醌型结构n-型半导体材料和使用它的有机半导体设备,尤其,包括上述材料的有机场效应晶体管(OFET)。背景技术近几十年,随着新型有机半导体材料的设计合成与器件制备技术的不断优化,有机场效应晶体管(OFETs)在器件性能方面取得了突飞猛进的发展。P-型半导体不仅场效应迁移率已经达到了与传统无机硅基材料相媲美的程度,而且也获得了良好的空气稳定性。 然而,n-型半导体通常场效应迁移率比较低,空气稳定性比较差,因此它的发展一直滞后于P-型半导体。直...
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