技术编号:35133957
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请案主张美国第/,号专利申请案的优先权(即优先权日为“年月日”),其内容以全文引用的方式并入本文中。.本公开关于一种接触结构及其制备方法。特别是有关于一种具有保护层的接触结构及其制备方法。背景技术.导电特征形成在半导体元件中以传输讯号。一些导电特征被填入凹槽中,如介电层中的接触孔及基底中的沟槽。此外,功能层也可以在凹槽中形成。功能层将凹槽中的导电特征与周围结构分开,并可提供附加的功能。例如,功能层可以包括阻障层、粘附层、栅极介电层等。.随着半导体元件的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。