技术编号：35155042
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管有源层材料、掺杂方法以及薄膜晶体管。背景技术.基于非晶金属氧化物的薄膜晶体管(tft)，如铟镓氧化锌(igzo)tft，正在被寻求作为平板显示和其他应用中基于硅的tft的替代品。非晶金属氧化物tft的相对优点是其透明性、大的开/关电流比、较高的载流子迁移率、相对较低的加工温度等。但是有源层采用非晶金属氧化物材料的tft的电学性能在偏置、温度和照明应力下的长期稳定性和可靠性仍被认为是商业化过程中有待解决的问题。发明内容.本发明主要解决的技术问...
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