技术编号:3520023
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术待用于半导体的光致抗蚀剂组合物通常包含作为酸生成剂的盐。US2007/0122750A提到由下式表示的盐作为酸生成剂。权利要求1.2.根据权利要求1所述的盐,其中式(I)的C-OH部分由式(U-l)表示,3.根据权利要求2所述的盐,其中X1表示-0-*1、-NR2-*1、-O-CO-*1、-0-CH2-*1 或-NR2-^-*1,其中V表示与W的结合位置。4.根据权利要求1或2所述的盐,其中Z+是三芳基锍阳离子。5.一种光致抗蚀剂组...
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