技术编号:3520638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于在衬底上形成包括锗、碲和/或锑的无定形膜(例如,包括碲化锗(GeTe)和碲化锗锑(GST)膜)的化学气相沉积法,以及相位变换随机存取存储器装置(phase change random access memory device),及其他包括该膜的装置。特别地,本发明涉及由CVD方法形成的无定形GeTe和GST膜,以及由这些膜形成的装置。背景技术近来,用于高度集成非易失性存储器装置的相位变换随机存取存储器(PCRAM)已经引起了大量的关注。在PC...
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