技术编号:35214364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及电池技术领域,特别涉及一种双面透明钝化接触层异质结电池的制作方法及其电池。背景技术.在电池制作领域,本征层的制备对于改善器件的电特性和保护器件表面具有重要意义,为了在si基器件表面形成稳定的本征层,目前采取了包括氧化、氮化、氟化在内的多种不同的化学方法,其中,通过异质结技术采用双面氢化非晶硅(本征层)对硅片表面进行钝化,其能有效降低缺陷态密度,减少复合,进而增加电池的少子寿命。.然而当前的双面氢化非晶硅钝化技术仍然存在着一些问题;首先,根据双面氢化非晶硅钝化技术制备本征层的工艺...
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