技术编号:35221897
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体封装领域,具体涉及一种半蚀刻双基岛共源共栅半导体引线框架及其封装器件。背景技术.共源共栅型gan功率器件是通过低压增强型si mosfet和耗尽型gan hemt串联封装形成常关器件,即cascode结构gan功率器件,图所示为现有技术中cascode结构的电路原理图。cascode结构gan功率器件因栅极稳定性和漏电流的优势,在高达mhz开关频率的大功率产品中最为适合使用。.目前常用的高性能si mosfet都是垂直型设计,其漏极、源极和栅极不在晶圆同一侧,需要...
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