技术编号：3528245
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及含有两个或多个卤素部分的高纯度卤代硅烷的制备方法。背景技术 含有两个或多个不同卤素部分的高纯度硅烷(本文称作“混合卤素卤代硅烷”)是在许多应用中的原子硅和卤素的有用来源。例如，将三氯-氟甲硅烷(SiFCl3)、二氯二氟甲硅烷(SiF2Cl2)和一氯三氟甲硅烷(SiF3Cl)在制备半导体材料和通信质量光学纤维材料中用作高纯硅的来源。另外，现已报告，三氟-碘甲硅烷(SiF3I)特别适合于激光同位素分离，其提供同位素纯硅用于制备同位素纯硅片。同样，氟碘...
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