技术编号：35287153
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及硅片电镀领域，特别涉及电镀头单元、电镀设备及电镀方法。背景技术.晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆电镀是晶圆加工过程中一个重要的工艺步骤。在晶圆电镀的工艺结果中，其中一个关键指标就是晶圆表面的均匀性，晶圆表面越均匀，晶圆电镀工艺越好。晶圆表面的均匀性受多种因素影响，其中之一的影响因素为tsv(硅通孔技术)深孔的填充技术，通过铜电镀的方式对晶圆上的盲孔进行填充，实现...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。