技术编号：35309884
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体微加工技术领域，具体为一种微波批量等离子晶圆去胶系统。背景技术.本申请技术属于半导体微加工技术领域，具体表现为晶圆表面清洗、光刻胶去除、光阻去除、聚合物去除等，属于半导体微加工设备的一种。.现有技术中常取用射频源激励工艺气体而获得等离子体，在等离子升温作用下，通过等离子物理溅射与化学作用，对产品表面进行处理，物理溅射作用会比较明显。射频等离子存在一定的偏压，有可能对产品有电性损坏。射频等离子作用下，等离子处理过程中产品表面温度很高，对一些较高要求的晶圆处理工艺无法满足...
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