技术编号:3534359
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及式LML′表示的有机金属化合物、制备所述有机金属化合物的方法以及由所述有机金属化合物制备薄膜或涂层的方法,其中M为金属或准金属,L为取代或未取代的环戊二烯基或类环戊二烯基、取代或未取代的戊二烯基或类戊二烯基或取代或未取代的吡咯基或类吡咯基,L′为取代或未取代的吡咯基或类吡咯基。背景技术在制造或加工半导体的过程中使用化学蒸气淀积法在底材(例如晶片或其他表面)上形成薄膜材料。在化学蒸气淀积中,化学蒸气淀积前体(也称为化学蒸气淀积化合物)通过热、化学、...
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