技术编号:3538154
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于半导体微处理的化学增强型正光刻胶组合物和在所述的光刻组合物用作酸发生剂的新化合物。使用光刻胶组合物的平版印刷工艺已在半导体微处理中采用。在平版印刷处理中,原则上如Rayleigh的有限衍射表达式表达的那样分辨力随曝光波长的降低而提高。波长436nm的g-线、波长365nm的i-线和波长248nm的KrF受激准分子激光已被用作在半导体生产中平版印刷的曝光光源。因而,曝光光源的波长一年比一年短。波长193nm的ArF受激准分子激光作为下一代改...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。