技术编号:35435056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日提交的韩国专利申请第--号以及于年月日提交的韩国专利申请第--号的优先权的权益,通过引用将上述专利申请整体结合在此。.技术领域.本发明涉及一种制造二次电池的设备及使用该设备制造二次电池的方法,更特定而言,涉及一种能够改善电极单元内部的电极和隔膜的非结合区域以及电极组件内部的电极单元和隔膜片的非结合区域的制造二次电池的设备及使用该设备制造二次电池的方法。背景技术.当不能...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。