技术编号:35459357
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。高κ半导体激光器.相关申请的交叉引用.本申请与于年月日提交的标题为“高κ半导体激光器(high kappa semiconductor lasers)”的第/,号美国专利申请相关,该相关美国专利申请的整个公开通过引用明确并入本文。技术领域.本发明涉及半导体激光器,并且特别地涉及靠近激光器后部具有高κ光栅的分布反馈(dfb)半导体激光器。背景技术.参见图和图,描绘了常规半导体晶片,其具有衬底和形成在其上的多个分布反馈(dfb)激光器。形成在晶片...
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