技术编号:3552624
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用共沸与萃取蒸馏方法分离与纯化来自含有各种化合物的起始混合物的全氟产物的方法,这样得到高纯度全氟产品。背景技术 为了制造半导体装置,在等离子体-蚀刻硅-型材料的加工方法中使用各种气态含氟化合物。四氟甲烷(CF4或PFC-14)主要应用是在半导体装置生产时等离子体蚀刻。等离子体蚀刻剂与集成电路晶片表面相互作用,改善其表面以便制造电路,并为该表面提供确定集成表面的功能性。三氟化氮(NF3)主要应用是在半导体装置生产中作为“化学蒸汽沉积”(CVD)室...
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