技术编号：35532402
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体清洗设备领域，尤其涉及一种薄型半导体基材清洗用伯努利吸盘。背景技术.第三代半导体基材以氮化镓（gan）、碳化硅（sic）、氧化锌（zno）和金刚石（c）四种为代表，其具有更宽的禁带宽度、更高的抗辐射能力和更大的电子饱和漂移速率等特性，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。由于三代半导体基材生长缓慢且成本高，因此现有技术中通常采用相对廉价的基材配合三代半导体基材实施，因而以碳化硅（sic）为主的三代半导体基材厚度相应需要变薄（通常在.mm以下），在半导体基材领域碳...
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