技术编号:3553292
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于通过化学气相沉积(CVD)法制备含Zr薄膜的前体和前体溶液。具体地,本发明涉及含特殊的锆配位化合物的前体溶液,该配位化合物能够在基底进行液源CVD法的较宽基底温度范围内始终获得Pb-Zr-Ti-型(Pb-Zr-Ti-type)(其包含锆钛酸铅和/或锆酸铅;下文统称为“PZT”)膜的恒定组成比例。背景技术 在使用CVD法制备薄膜中,前体的气源通常在室温下是液态物料,例如用在GaAs薄膜制备中的前体三甲基镓;和用在SiO2薄膜制备中的前体四乙氧基...
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