技术编号:35542027
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体制造领域,特别涉及一种评估离子注入工艺的监测方法。背景技术.在半导体制造工艺中,离子注入工艺的稳定性对器件性能有至关重要的影响。为了评估离子注入之后的结果,方阻测量是一个常用的评估方法;但该方法只能笼统地评估离子注入所得的总体影响,无法获得离子注入厚度方向中能量和剂量的影响信息,存在一定的局限性。利用带电极的二氧化硅和多晶复合结构,通过测量离子注入后总体电阻的变化来判定注入能量的影响,但是又无法单独确定各层的电阻来体现注入剂量带来的影响大小。发明内容.本发明的目的是针对现...
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