技术编号:3566818
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在生产三氯硅烷(HSiCl3)的工艺中通过裂解高沸点聚合物以增加产率及减少浪费的方法。聚合物包括四氯二硅氧烷(H2Si2OCl4)、五氯二硅氧烷 (HSi2OCl5)、六氯二硅氧烷(Si2OCl6)和六氯二硅烷(Si2Cl6)。裂解工艺产生可用于生产多晶硅的额外的HSiCl3和/或四氯硅烷(SiCl4)。需解决的问题SiCl4是当硅在使用包括HSiCl3和氢气(H2)的原料气的化学沉积(CVD)反应器中沉积在底物上时产生的副产物。需要将SiC...
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