技术编号:3573198
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明 一般地涉及稳定剂,更具体地涉及用于稳定不饱和烃基前体 的稳定剂。背景技术未来的介电薄膜采用与有机硅酸盐前体结合的致孔剂(porogens)产 生多孔低k薄膜。为此,使饱和或不饱和烃基致孔剂与有机硅酸盐共沉 积以产生包含有机硅酸盐前体与有机致孔剂的混合物的初始复合薄膜。 随后对该薄膜施以各种处理法以分解致孔剂。在此固化法过程中,致孔 剂副产物作为气态物释放出来,留下在致孔剂空出的空间中含有空隙的 有机硅酸盐基质。所得空隙或气穴具有为1的固有介电常数,...
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