技术编号:35795423
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及晶体管结构及制造方法领域,更具体的涉及一种提供过内阻检测的mosfet及制造方法。背景技术.mosfet为金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种常用的晶体管类型之一,其结构包括源区、栅极、栅氧层、底接区、硅基底片和漏结区,通过改变漏结区的电特性控制器件的电阻和导通能力。因此,mosfet 被广泛应用于数字电路和功率电路中作为开关元件或放大器。然而,由于 mosfet本身具有漏电流和漏电阻变化,使得mosfet电路元器件的正确性和可靠性存在着重大影响。.为了确保 mosfet在实际...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。