技术编号:35818427
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体激光器技术领域,具体涉及一种单模高功率、低热阻垂直腔面发射激光器及制备方法。背景技术.垂直腔面发射激光器(vertical-cavity surface-emitting laser,vcsel)具有单纵模、低阈值、圆形光斑、易于形成二维阵列等特点,一种非常有吸引力的光源。在许多应用中如小型低功率原子传感器、光谱学、气体检测、激光打印、光存储、以及远距离光通信,均需要vcsel单模工作且功率要求在几毫瓦。但是由于vcsel的横向尺寸大,容易工作在多横模的状态,一般只能尽量缩...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。