技术编号:3581853
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学领域中金属有机配合物的合成方法。二背景技术随着半导体制造业的不断发展,通过不断的比较材料特性,寻找适合ALD和CVD使用的高k和金属栅材料前驱物。对于32nm技术节点来讲,材料的挥发性,输运方式以及纯度等问题变得至关重要。随着信息存储和获取量的大幅提升,对于更高k值材料的需求也不断升温,这些材料遍布从氧化铝到稀有金属中任何可用的元素。 研究发现当栅氧厚度小于2nm时,漏电流将大幅提高,高介电常数材料由于可以允许更厚的栅介电材料,从而降低漏电流...
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