技术编号:3582866
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术 在用于半导体元件制造的集成电路(IC)的生产中,使用二氧化硅膜已经有一段时间。在公开的现有技术和专利文献中有许多生产此类SiO2薄膜的例子。参见例如Schumacher Group,Ak Products and Chemicals,Inc.出版物,例如用户指南采用TEOS进行玻璃沉积1和ExtremaTEOS(原硅酸四乙酯)产品说明书2。同样参见,通过TEOS分解的SiO2低压沉积的模型化3,和在减压条件下二氧化硅膜的沉积4。有许多期刊文章综...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。