技术编号:35863228
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及光电半导体材料领域,尤其涉及一种铋基杂化材料(hamp)(g)bii及其光电探测应用,其中(hamp)为双质子化的-(氨基甲基)吡啶阳离子,g为质子化的胍离子。背景技术.有机-无机杂化半导体材料由于其低阱密度、高光吸收和高载流子迁移率等光电特性而受到了人们的持续关注。这些独特的特性使它们可用于制作极具前景的高性能光电器件,被广泛应用于光电探测器中。.光电探测器的原理是辐射引起探测材料的电导率发生明显改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近...
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