技术编号:35865597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种半导体封装件及其生产方法。背景技术.直接键合铜(dbc)工艺是实现功率电路电路基板的一种金属化工艺,是将铜箔直接键合到电路基板上,没有中间键合层。直接键合铜(dbc)工艺能够将电力电子模块的使用寿命延长多倍,并确保芯片的载流容量提高%以上。另外,直接键合铜(dbc)工艺还能使结晶温度提高至超过℃。因此,直接键合铜(dbc)工艺可大幅降低功率降额,或在确保电流相同的情况下缩小芯片尺寸,从而降低电力成本。随着电力电子模块的功率密度、工作温度及...
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